1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低； ◆开关速度快； ◆雪崩耐量高； 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片； ◆通态压降低； ◆可靠性高； ◆成本低； 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆低饱和压降，导通损耗小； ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆关速度快，关损耗小 ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
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相约德国|宏微科技诚挚邀请您参加 … 2023-05-05 了解更多
江苏省省委常委、省委组织部部长沈… 4月25日上午，江苏省省委常委、省委组织部部长沈莹莅临江苏宏微科… 2023-04-25 了解更多
世界知识产权日|宏微科技在行动 世界知识产权日，由世界知识产权组织于2001年4月26日设立，目的是… 2023-04-26 了解更多
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